BTC $67 359 -0.21%Золото $2 341 +0.55%USD/RUB 93.42 +0.43%EUR/RUB 101.77 +0.38%Brent $67.24 -0.81%МосБиржа 2 854 +1.02%BTC $67 359 -0.21%Золото $2 341 +0.55%USD/RUB 93.42 +0.43%EUR/RUB 101.77 +0.38%Brent $67.24 -0.81%МосБиржа 2 854 +1.02%BTC $67 359 -0.21%Золото $2 341 +0.55%USD/RUB 93.42 +0.43%EUR/RUB 101.77 +0.38%Brent $67.24 -0.81%МосБиржа 2 854 +1.02%
Технологии
Korp&Co visual
Intel создала самый тонкий в мире чиплет из нитрида галлия
#9006 · 09.04.2026
Технологии

Intel создала самый тонкий в мире чиплет из нитрида галлия

Подразделение Intel Foundry представило первый в индустрии сверхтонкий чиплет из нитрида галлия (GaN) на 300-миллиметровой пластине. Инженерам удалось сократить толщину кремниевого слоя до 19 мкм и объединить силовые компоненты с логическими схемами на одном кристалле.

Подразделение Intel Foundry представило первый в индустрии сверхтонкий чиплет из нитрида галлия (GaN) на 300-миллиметровой пластине. Инженерам удалось сократить толщину кремниевого слоя до 19 мкм и объединить силовые компоненты с логическими схемами на одном кристалле.

Главное достижение разработчиков заключается в успешной интеграции GaN-транзисторов с традиционной кремниевой архитектурой. Это позволяет встраивать сложные вычислительные функции в энергосберегающие чипы без использования внешних контроллеров. Такое решение делает электронику компактнее и эффективнее — от оборудования для дата-центров до абонентских устройств.

Применение в инфраструктуре связи и ЦОД

В Intel отмечают, что технология не заменит основные вычислительные процессоры, но радикально изменит системы питания. Стабилизаторы напряжения на базе GaN можно размещать в непосредственной близости к ядрам процессора, что снижает потери энергии на проводниках.

В сфере телекоммуникаций возможности новой архитектуры включают:

  • эффективную работу на частотах свыше 200 ГГц;
    • поддержку оборудования для сантиметровых и миллиметровых диапазонов;
    • использование в базовых станциях сетей 5G и перспективного стандарта 6G.
По заявлению Intel Foundry, переход на 300-миллиметровые пластины и уменьшение толщины слоя до 19 мкм подтверждает техническую готовность технологии к массовому внедрению в высокотехнологичных отраслях.

Комментарии (0)

Оставить комментарий

Пока нет комментариев. Будьте первым!