Подразделение Intel Foundry представило первый в индустрии сверхтонкий чиплет из нитрида галлия (GaN) на 300-миллиметровой пластине. Инженерам удалось сократить толщину кремниевого слоя до 19 мкм и объединить силовые компоненты с логическими схемами на одном кристалле.
Главное достижение разработчиков заключается в успешной интеграции GaN-транзисторов с традиционной кремниевой архитектурой. Это позволяет встраивать сложные вычислительные функции в энергосберегающие чипы без использования внешних контроллеров. Такое решение делает электронику компактнее и эффективнее — от оборудования для дата-центров до абонентских устройств.Применение в инфраструктуре связи и ЦОД
В Intel отмечают, что технология не заменит основные вычислительные процессоры, но радикально изменит системы питания. Стабилизаторы напряжения на базе GaN можно размещать в непосредственной близости к ядрам процессора, что снижает потери энергии на проводниках.
В сфере телекоммуникаций возможности новой архитектуры включают:
- эффективную работу на частотах свыше 200 ГГц;
- поддержку оборудования для сантиметровых и миллиметровых диапазонов;
- использование в базовых станциях сетей 5G и перспективного стандарта 6G.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!